Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства модулей памяти DDR4 объемом 128 ГБ. В микросхемах памяти для этих модулей используется объемная компоновка чипов с межслойными соединениями (TSV). Модули предназначены для серверов.

О возможности выпуска таких модулей производитель сообщил год назад, представляя модули DDR4 объемом 32 ГБ на 20-нанометровых микросхемах. В прошлом году были выпущены модули объемом 64 ГБ, в которых используются микросхемы с TSV.

В каждом буферизованном модуле (RDIMM) объемом 128 ГБ в общей сложности используется 144 чипа DDR4, скомпонованных в 36 микросхем по 4 ГБ каждая. Несложно посчитать, что в микросхеме упаковано четыре чипа, связанных между собой межслойными соединениями. В один из них интегрирован буфер. Модули работают на эффективной частоте до 2400 МГц. В планах компании — выпуск модулей DDR4-2667 и DDR4-3200.