Toshiba и ее стратегический союзник Western Digital готовят к выпуску флэш-память 3D NAND высокой плотности, в которой будет 128 слоев с ячейками памяти.

В номенклатуре Toshiba такая память будет называться BiCS-5. Интересно, что микросхема будет относиться к типу TLC (3 бита на ячейку), а не более новому QLC (4 бита на ячейку). Вероятно, производители пока боятся низкого процента выхода годной продукции при выпуске QLC NAND.

Плотность первого кристалла составит 512 Гбит. В отличие от чипов BiCS-4 с двухплоскостной компоновкой, он разделен на четыре плоскости, к каждой из которых можно получить независимый доступ. Как сообщается, это удваивает скорость записи в расчете на канал с 66 МБ/с до 132 МБ/с. Также используется новая компоновка с размещением логических схем в самом нижнем слое, под слоями ячеек, что, как утверждается, позволяет уменьшить размер кристалла на 15%.

Коммерческое производство 128-слойной флэш-памяти 3D NAND планируется начать в 2020 или 2021 году.