Samsung представила модуль оперативной памяти DDR5 объёмом 512 ГБ. Такая память ориентирована на ЦОД и суперкомпьютеры |
Добро пожаловать, гость ( Вход | Регистрация )
Samsung представила модуль оперативной памяти DDR5 объёмом 512 ГБ. Такая память ориентирована на ЦОД и суперкомпьютеры |
NewsUser |
Mar 25 2021, 18:59
Сообщение
#1
|
Новостной бот Группа: Members Сообщений: 7,896 Регистрация: 28/12/04 Пользователь №: 3 |
Samsung представила модуль оперативной памяти DDR5 объёмом 512 ГБ. Такая память ориентирована на ЦОД и суперкомпьютеры
Компания Samsung Electronics заявила о том, что разрабатывает первую в отрасли память DDR5 с использованием технологии High-K Metal Gate (HKMG). Это технология использования диэлектриков с высокой диэлектрической постоянной и металлических затворов. Компания уже расширила свой портфель предложений соответствующим модулем DDR5 объёмом 512 ГБ. В данном случае на одном модуле разместились восемь слоёв микросхем DRAM объёмом 16 ГБ, объединённых посредством технологии объёмной компоновки с межслойными соединениями (Through-Silicon Vias, TSV). Такая память обеспечивает скорость передачи данных до 7200 Мбит/с, что вдвое больше, чем у DDR4. Сама Samsung говорит об использовании таких модулей в суперкомпьютерах и вычислениях, связанных с искусственным интеллектом и машинным обучением. Также корейский гигант отмечает на 13% меньшее энергопотребление новой памяти. QUOTE(NewsUser, 25 Mar 18:59:54) |
Упрощённая версия | Сейчас: 6th November 2024 - 14:32 |