Накопители Samsung 850 Evo, о которых мы говорили буквально сегодня утром, удостоились официального анонса.

В их основе лежит 32-слойная флеш-память 3D V-NAND, заметно улучшившая показатели износостойкости по сравнению с предыдущим поколением. Об этом говорит не только пятилетняя гарантия, но и увеличившийся показатель TBW — объем данных, который может быть записан на накопитель. Даже у младших моделей новой линейки 850 Evo он составляет 75, против 43 у накопителей 840 Evo. Технология TurboWrite создает своеобразную кеш-память, переводя часть ячеек в высокопроизводительный режим, проявляющий себя в операциях записи. Вдобавок режим Rapid может использовать до 4 ГБ системного ОЗУ в качестве дополнительного кеша.

Накопители Samsung 850 Evo будут производиться в объемах 120, 250, 50 и 1000 ГБ. Роль контроллера берет на себя Samsung MGX или MEX (только во флагманской модели), объем кеш-памяти LPDDR2 меняется с ростом емкости от 256 до 1024 ГБ. Максимальная скорость потоковых операций чтения и записи составляет 540 и 520 МБ/с соответственно. Аппаратное шифрование по алгоритму AES с ключом 256-битной длины повышает надежность хранения данных. В режиме Device Sleep новые SSD потребляют 2-4 мВт, при активной работе не более 4,4 Вт; за температурным состоянием накопителя следит технология Dynamic Thermal Guard.