Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска твердотельного накопителя объемом 250 ГБ, в котором используется флеш-память V-NAND шестого поколения с более чем 100 слоями (производитель использует обозначение 1xx). В накопителе с интерфейсом SATA используются микросхемы плотностью 256 Гбит, способные хранить три бита в каждой ячейке.

При изготовлении микросхем применяется уникальная технология Samsung «травление отверстия канала» (channel hole etching), которая позволила увеличить количество ячеек на 40% по сравнению с микросхемами с числом слоев 9x. Суть технологии заключается в формировании электропроводящего «стека» из 136 слоев, который сверху донизу пронизывают вертикальные цилиндрические отверстия, создавая однородные трехмерные ячейки с зарядовой ловушкой (CTF). По мере увеличения высоты структуры микросхема NAND становится более уязвимой к ошибкам и задержкам чтения. Чтобы преодолеть это ограничение, специалисты Samsung оптимизировали управляющую схему по скорости передачи данных: в результате операция записи занимает менее 450 мкс, чтения — менее 45 мкс. По сравнению с предыдущим поколением достигнуто повышение производительности более чем на 10% при одновременном снижении энергопотребления более чем на 15%.

В Samsung уверены, что оптимизированная по скорости схема позволит выпускать решения V-NAND следующего поколения, в которых будет более 300 слоев, просто объединив три описанных «стека».

Кроме того, количество канальных отверстий, необходимых для кристалла плотностью 256 Гбит, уменьшено по сравнению с предыдущим поколением с 930 млн до 670 млн штук. Это позволило уменьшить размеры микросхемы и число этапов техпроцесса, что привело к повышению производительности труда более чем на 20%.

Во второй половине этого года компания рассчитывает выпустить SSD объемом 512 ГБ и модули eUFS, в которых будет использоваться такая же память V-NAND шестого поколения. На будущий год планируется расширение производства этой памяти на южнокорейском предприятии Samsung.